但是鄭承夏教授卻根本就沒給周瑜故弄玄虛的機會，直接開口說道：“董事長你說的是讓我們換個思維方式吧？”

    周瑜對這位老教授伸出了右手大拇指點贊。

    “沒錯，就是換一個思維方式，不要將碳基芯片當做硅基半導體芯片去做，要從最初的選材就開始自己探索。

    比如硅基芯片的大概制造流程就是先找到品質比較好的硅石，提純二氧化硅（SiO）然后冶煉成為硅錠，制成硅棒，升級為芯片級單晶硅棒，再切割成硅片，選擇出最優秀的硅片晶圓，然后使用光刻技術在晶圓上，用光雕琢出芯片。

    現在咱們研發硅基芯片受到的限制，其根本原因就是由于硅原子的物理特性以及隧穿效應的影響。

    硅原子的直徑約為納米，當芯片的制程縮小到1納米時，已經無法再繼續增加晶體管的數量，因為硅原子的大小限制了芯片的進一步縮小。

    此外，當芯片的制程達到1納米時，隧穿效應會變得非常明顯，導致電流無法按照預期流動，從而影響芯片的性能和穩定性。

    哪怕是使用EUV光刻機和FinFET結構等技術手段進行升級，但這些技術雖然能在一定程度上提高性能，卻無法完全克服物理極限！”

    周瑜隨手拿過一塊還未使用的黑板，用特制的磁性筆在上面書寫著硅基芯片的簡略制造流程和缺陷。

    雖然現實商業競爭當中，臺積電還在想著競爭5納米工藝，夢想著突破3納米工藝，但是周瑜早就已經看到了五納米以下制程技術的迭代困難程度。

    現在基于硅基芯片研發的技術工藝，的確是全球頂尖但是在數年之后，先進的設備也會變得落后，硅基芯片的未來前景早就已經有了厚厚的一層陰影。

    之所以之前沒有帶領公司的工程師們直接推進碳基芯片項目，也是因為整個大夏聯邦的半導體產業人才、資源還沒有如今這樣豐富和強大，自家公司的半導體人才、設備、研發經驗太過稀缺。

    而現在，硅基芯片項目快摸到天花板了，也是時候帶著這群半導體精英工程師向碳基芯片沖鋒了。

    李賢審、鄭承瀚以及負責新科光源項目的高管周潭、光刻膠項目的負責人楊剛省、李明偉；拋光項目的工程師李毅風、晶圓培育負責人李明偉等人，在一眾專家教授、半導體頂級工程師的陪伴下，耐心聽著周瑜梳理技術脈絡。

    雖然這些內容都是行業最淺顯的知識，但是在這一行干的時間太久，他們也在工作中發現有不少人會干著干著就開始“鉆牛角尖”，在細分的職業賽道上狂奔，逐漸忘了行業其他環節的技術協同。

    隨后，周瑜在黑板上畫起了一個晶體管的特殊設計方案。

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